НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 4.15. Отражение радиоволн от ионосферы в присутствии постоянного магнитного поля

При вертикальном падении волны на слой ионосферы отражение происходит в той области высот, где относительная диэлектрическая проницаемость ионизированного газа обращается в нуль.

В § 4.14 было показано, что при отражении от ионизированного газа распространение радиоволн справедливо рассматривать как квазипоперечное. Обращаясь к выражениям (4.98) и (4.97), видим, что условие ε = 0 выполняется:

для обыкновенной волны при

ω02 = ω2;

для необыкновенной волны при

ω02 = ω2 ± ωωН. (4.101)

Поскольку величина ω0 определяется электронной плотностью, отражение волн происходит при трех различных значениях электронной плотности, т. е. на разных высотах ионосферы.

На рис. 4.20 схематически показаны уровни электронной плотности, на которых происходит отражение обыкновенной и необыкновенной волн.

Рис. 4.20. Отражение радиоволн в присутствии постоянного магнитного поля: 1 - обыкновенная, волна; 2 - необыкновенная волна
Рис. 4.20. Отражение радиоволн в присутствии постоянного магнитного поля: 1 - обыкновенная, волна; 2 - необыкновенная волна

Отражение необыкновенной волны может происходить от двух уровней электронной плотности - ниже и выше уровня отражения обыкновенной волны. Обычно наблюдается отражение только от нижнего уровня, а часть энергии, отразившейся выше уровня отражения обыкновенной волны, поглощается.

В силу того, что для отражения необыкновенной волны требуется меньшая электронная плотность, чем для отражения обыкновенной волны при равных частотах волн, критическая частота необыкновенной волны оказывается выше частоты обыкновенной волны. Разницу критических частот легко получить из выражения

ω2 - ωωН - ω02 = 0, (4.102)

откуда


В области отражения коротких волн выполняется условие ωН/2)2 << ω02 и приближенно можно записать

ω ≈ ωH/2 + ω0.

Подставляя числовое значение fН = 1,4 МГц, получаем

fкр.необ ≈ fкр.об + fН/2 = fкр.об + 0,7 МГЦ. (4.103)

Такая же разница в критических частотах получается экспериментально.

При наклонном падении радиоволн на ионосферу волны, отразившиеся на разной высоте, попадают в разные точки земной поверхности, как показано на рис. 4.20.

При импульсной модуляции сигнала наблюдаются два магниторасщепленных импульса, имеющих различное время запаздывания.

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'