НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

Контрольные вопросы к главе 4

1. Что является основным ионизирующим фактором ионосферы?

2. Изобразите график изменения электронной плотности ионосферы с высотой для дня и ночи.

3. Подсчитайте собственную частоту ионизированного газа, если электронная плотность Nэ = 106 эл/см3.

4. Возможен ли волновой процесс в среде, где ε < 0?

5. Почему на распространение радиоволн электроны оказывают существенно большее влияние, чем ионы?

6. Как изменится проводимость ионизированного газа, если электронная плотность возрастет вдвое?

7. Какой вид имеет график частотной зависимости коэффициента поглощения радиоволн в ионосфере?

8. Импульсы с несущими частотами 10 и 100 МГц проходят через ионосферу, собственная частота которой равна f0 = 6 МГц, расстояние 30 км. Какой из импульсов придет раньше и на сколько?

9. Нарисуйте высотно-частотную характеристику ионосферы и укажите критические частоты слоев.

10. На каком участке траектории волны в ионосфере приближение геометрической оптики неприменимо?

11. Волна прошла в ионизированном газе некоторое расстояние в направлении силовых линий постоянного магнитного поля. Какие изменения произошли в структуре поля волны?

12. Какие составляющие электрического поля могут существовать в ионизированном газе, если направление распространения волны нормально к направлению силовых линий постоянного магнитного поля?

13. Приблизительно во сколько раз отличаются гирочастоты электронов и ионов?

14. Какое приближение - квазипродолное или квазипоперечное применимо, если угол между направлением распространения волны и направлением силовых линий постоянного магнитного поля равен 70°, ω = 0,2ω?

15. Сравните известные вам методы исследования ионосферы. Какой из методов применяют для регулярных наблюдений за ионосферой?

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • 'Ростех' показал компьютеры на базе российских процессоров 'Эльбрус-8С'
  • 'Байкал Электроникс' выполнила очередной этап проекта по промышленному производству микропроцессоров
  • Представлен самый сложный на сегодняшний день микрочип, изготовленный из двумерного материала
  • Инженеры IBM уместили 30 млрд транзисторов на чип размером с ноготь
  • Samsung может обогнать Intel и стать производителем чипов №1
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'