НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 8.2. Характеристики межпланетной среды

Распространение радиоволн в межпланетном пространстве до создания искусственных спутников Земли изучалось путем наблюдения за радиоизлучением небесных тел, являющихся дискретными источниками широкого спектра радиоволн. В настоящее время измерения плотности протонов в межпланетном пространстве ведутся главным образом при помощи ловушек, устанавливаемых на космических ракетах. Электронную плотность принимают равной протонной, так как в делом плазма должна быть квазинейтральной.

Измерения показали, что плотность протонов, а следовательно, и электронов на расстоянии около 150 млн. км от Солнца составляет 2÷20 част/см3. Протоны движутся преимущественно от Солнца со средней скоростью 500 км/с. На рис. 8.1, а и б приведены результаты расчетов средней электронной плотности межпланетной плазмы и скорости ее перемещения в функции расстояния от Солнца. Эти расчеты хорошо соответствуют имеющимся опытным данным. На расстояниях более 30 млн. км от Солнца скорость перемещения плазмы можно считать постоянной и равной 500 км/с. На этих расстояниях электронная плотность Nэ в силу постоянства потока плазмы в единичном телесном угле должна зависеть от расстояния до Солнца по закону

Nэ(r) = 2,3·105/r2(млн.км)[эл/см3]. (8.1)
Рис. 8.1. Характеристики межпланетной плазмы: а - изменение электронной плотности межпланетной плазмы с расстоянием от Солнца; б - изменение скорости перемещения межпланетной плазмы в направлении от Солнца с расстоянием от Солнца
Рис. 8.1. Характеристики межпланетной плазмы: а - изменение электронной плотности межпланетной плазмы с расстоянием от Солнца; б - изменение скорости перемещения межпланетной плазмы в направлении от Солнца с расстоянием от Солнца

Межпланетная плазма является статистически неоднородной средой со средним размером неоднородностей порядка 200 км. Помимо этого существуют крупномасштабные неоднородности с размерами 0,1÷1 млн. км.

Природа неоднородностей межпланетной плазмы еще мало изучена. Напряженность постоянного магнитного поля на расстоянии около 150 млн. км от Солнца составляет 4·10-3 А/м. После солнечных вспышек электронная плотность и скорость потока плазмы, а также напряженность постоянного магнитного поля увеличиваются в несколько раз [24].

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'