8.1.2. Параметры транзисторов

Расчет параметров транзистора на основании эквивалентных схем рис. 8.1 и 8.2 с учетом индуктивностей всех его выводов и их емкостей относительно корпуса является сложной и трудоемкой работой. Наиболее сильно на параметры транзистора влияют индуктивности в общем и входном выводах. В работах [50, 51] подробно изложена методика расчета и приведены выражения y-параметров транзистора при включении его по схемам ОЭ и ОБ. Однако при выводе y-параметров транзистора с ОЭ не учитывалась обратная связь по току, которую можно получить путем включения в цепь эмиттера сопротивления R_oс (рис. 8.2). Введение же эмиттерной противосвязи при реализации транзисторного УРУ параллельной структуры весьма Желательно для увеличения входного сопротивления, уменьшения частотных зависимостей крутизны и входной реактивности транзистора, стабилизации усиления и снижения нелинейных искажений. Вывод формул (параметров каскодной схемы с сопротивлением R_oc сделан в работе [54]. Там же приведены результаты расчетов на ЭЦВМ частотных зависимостей параметров в широком диапазоне частот; y-параметры транзистора с ОЭ при наличии противосвязи в цепи эмиттера можно получить, исходя из эквивалентной схемы рис. 8.2. Для этого необходимо включить в цепь эмиттера сопротивление R_oc, составить уравнения узловых потенциалов и решить полученную систему уравнений относительно входного и выходного токов транзистора.

С учетом индуктивности только эмиттерного вывода получаются следующие выражения у-параметров транзистора с противосвязью в результате включения R_oc.

где

β₀ = α₀/(1 - α₀) - низкочастотное значение коэффициента усиления тока в схеме с ОЭ.

При выводе формул (8.1) емкости выводов транзистора относительно его корпуса С_бк, С_эк, С_кк не учитывались, так как их всегда можно отнести к внешним по отношению к транзистору элементам схемы. Используя выражения (8.1), нетрудно найти y-параметры транзистора с эмиттермой противосвязью с учетом индуктивности базового вывода L_б с помощью соотношений:

Для современных высокочастотных транзисторов численное значение ω_тL_б лежит в пределах (20-40) Ом и на достаточно высоких частотах (y > 0,2) соизмеримо с 1/y^L_11э.

Следствием этого является заметное влияние индуктивности базового вывода L_б на y-параметры транзистора в области высоких частот. Интересно отметить, что индуктивность базы наряду с уменьшением прямой проводимости y^LL_11э транзистора (8.7) увеличивает его входное сопротивление (8.5), что является полезным при создании УРУ параллельной структуры.

Из эквивалентной схемы транзистора с общей базой (рис. 8.1) определим h-параметры, являющиеся коэффициентами в уравнениях (3.1). Налагая соответствующие условия холостого хода и короткого замыкания, а также ωτ_к << 1 и ω²L_бC_к << 1, найдем: