НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 2.4. Расчет цепей при периодических негармонических токах

Определение тока в линейных цепях при периодическом негармоническом источнике энергии осуществляют методом наложения. Напряжение источника э. д. с. u(t), заданное аналитически и удовлетворяющее условиям Дирихле, раскладывают в ряд Фурье. Частота каждой гармоники кратна частоте периодического негармонического напряжения kω при k = 0, 1, 2, 3 .... Отдельно для каждой гармоники напряжения рассчитывают соответствующую гармонику тока, применяя комплексный метод. При этом определяют комплексное сопротивление для каждой гармоники. Реактивное индуктивное сопротивление увеличивается пропорционально номеру гармоники: XLk - kωL. Реактивное емкостное сопротивление уменьшается с увеличением номера гармоники: XCk = 1/kωС. При изменении частоты kω активное сопротивление R полагают постоянным, пренебрегая поверхностным эффектом. После расчета всех гармонических составляющих тока записывают выражение для мгновенных значений тока:


Алгоритм расчета. 1. Заданное аналитическое выражение для напряжения источника э. д. с. раскладывают в ряд Фурье: 2. Каждую гармонику напряжения записывают в комплексной форме: 3. Комплексное сопротивление схемы определяют для каждой гармоники имея в виду что 4. Для каждой гармоники напряжения по комплексному сопротивлению находят комплексную амплитуду тока после чего записывают выражение мгновенного значения тока гармоники: ik = Imk sin (kωt - φk). 5. Мгновенное значение негармонического тока получают, суммируя мгновенные значения всех гармонических составляющих токов:

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • Intel - уже не крупнейший производитель полупроводников
  • 'Ростех' показал компьютеры на базе российских процессоров 'Эльбрус-8С'
  • 'Байкал Электроникс' выполнила очередной этап проекта по промышленному производству микропроцессоров
  • Представлен самый сложный на сегодняшний день микрочип, изготовленный из двумерного материала
  • Инженеры IBM уместили 30 млрд транзисторов на чип размером с ноготь
  • Samsung может обогнать Intel и стать производителем чипов №1
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'