НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 6.2. Уравнения пассивного четырехполюсника

Выбранные положительные направления тока и напряжения показаны на рис. 6.1.

Рис. 6.1
Рис. 6.1

При исследовании четырехполюсников за основные переменные принимают напряжения и токи на входе u1, i1 четырехполюсников. В случае гармонических источников энергии, питающих четырехполюсник, пользуются комплексными значениями напряжений и токов: Обычно по двум заданным комплексным переменным находят две неизвестные комплексные величины, составляя два комплексных уравнения, связывающих неизвестные и известные переменные с параметрами четырехполюсника. Для линейных четырехполюсников уравнения также являются линейными. Различают несколько форм уравнений, образованных в зависимости от того, какие переменные заданы и какие подлежат определению.

Название уравнений определяется коэффициентами, входящими в уравнения, например, уравнения Z-формы. записи имеют вид:


Параметры, входящие в уравнения Y-, Z-, А-, Н-, G-формы записи, зависят только от структуры четырехполюсника и величины элементов составляющих четырехполюсник.

Решая совместно уравнения различных форм, можно получить соотношения между параметрами. При исследовании различных способов соединения нескольких четырехполюсников проще применять матричную форму записи уравнений. Уравнения A-формы записи удобно использовать при каскадном соединении четырехполюсников, Z-формы - при последовательном, Y-формы - при параллельном и Н-формы при последовательном соединении входных и параллельном выходных полюсов.

Уравнения пассивного четырехполюсника
Уравнения пассивного четырехполюсника

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • Intel - уже не крупнейший производитель полупроводников
  • 'Ростех' показал компьютеры на базе российских процессоров 'Эльбрус-8С'
  • 'Байкал Электроникс' выполнила очередной этап проекта по промышленному производству микропроцессоров
  • Представлен самый сложный на сегодняшний день микрочип, изготовленный из двумерного материала
  • Инженеры IBM уместили 30 млрд транзисторов на чип размером с ноготь
  • Samsung может обогнать Intel и стать производителем чипов №1
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'