НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 8.30. Метод переменных состояния

За основные переменные состояния xk(t) обычно принимают токи в индуктивных iL и напряжения на емкостных uС элементах, так как они не могут изменяться скачком (исключая схемы с "некорректными" начальными условиями) и являются независимыми переменными. Остальные переменные зависят от этих переменных. Методом переменных состояния составляют две системы уравнений.

Первая система уравнений состояния определяет зависимость первых производных переменных состояния xk от самих переменных состояния и источников энергии (э. д. с. и тока). Вторая система является системой выходных параметров, устанавливающая связь между искомой выходной величиной yk, переменными состояния и источниками энергии. Уравнения для выходных параметров являются алгебраическими уравнениями.

Уравнения состояния и уравнения выходных параметров могут быть получены либо с помощью уравнений Кирхгофа для послекоммутационной схемы, либо путем использования метода наложения. (Для схем с "некорректными" начальными условиями уравнения состояния составляют, исходя из топологических соотношений.)

Уравнения состояния записывают в матричной форме и решают аналитически или численными методами (методы Эйлера, трапеции, Рунге-Кутта и др.). Наиболее распространенным и простым методом является метод численного интегрирования Эйлера. В этом случае матрицу переменных состояния вычисляют для каждого шага h с помощью ЭВМ:


предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • Создан новый российский 28-нанометровый процессор для Интернета вещей и компьютерного зрения
  • Процессоры «Байкал» проверили на промышленную пригодность огнем, заморозкой и плесенью
  • Intel - уже не крупнейший производитель полупроводников
  • 'Ростех' показал компьютеры на базе российских процессоров 'Эльбрус-8С'
  • 'Байкал Электроникс' выполнила очередной этап проекта по промышленному производству микропроцессоров
  • Представлен самый сложный на сегодняшний день микрочип, изготовленный из двумерного материала
  • Инженеры IBM уместили 30 млрд транзисторов на чип размером с ноготь
  • Samsung может обогнать Intel и стать производителем чипов №1
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2018
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'