НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

Глава 5. Полупроводниковые приборы

§ 26. Полупроводниковые диоды

В настоящее время полупроводниковые приборы используются практически во всех областях электроники и радиотехники. Однако, несмотря на чрезвычайное разнообразие этих приборов, в основе их, как правило, лежит работа обычного p-n-перехода или системы из нескольких p-n-переходов.

Полупроводниковый диод содержит лишь один p-n-переход, к каждой из областей которого подведены с помощью омических контактов металлические вводы.

Выпрямительные диоды. Полупроводниковые диоды применяются в основном для выпрямления переменного тока. Простейшая схема использования полупроводникового диода в качестве выпрямляющего элемента показана на рисунке 72. Источник переменного напряжения u∼, диод Д и нагрузочный резистор Rн соединяются последовательно. Пропускное направление диода обозначено стрелкой (от анода к катоду).

Рис. 72
Рис. 72

Пусть напряжение на зажимах источника изменяется по синусоидальному закону (рис. 73, а). Во время положительного полупериода, когда на анод диода подан "+", а на катод "-", диод оказывается включенным в прямом направлении и через него проходит ток. При этом мгновенное значение силы тока i определяется мгновенным значением напряжения u на зажимах источника и сопротивлением нагрузки (сопротивление диода в пропускном направлении мало, и им можно пренебречь). Во время отрицательного полупериода ток через диод практически не течет. Таким образом, в цепи протекает пульсирующий ток, график которого приведен на рисунке 73, б. Таким же пульсирующим будет и напряжение uR на нагрузочном резисторе. Так как uR = iRн, то изменение напряжения uR повторяет ход изменения тока i.

Рис. 73
Рис. 73

Полярность напряжения, создаваемого на сопротивлении нагрузки, всегда одна и та же, и определяется она в соответствии с направлением пропускаемого тока: на конце сопротивления, обращенного к катоду, будет "+", а на противоположном конце "-".

Рассмотренная схема выпрямления является однополупериодной. Для уменьшения пульсаций выпрямленного напряжения используют сглаживающие фильтры. Наиболее простой метод сглаживания состоит в подключении параллельно нагрузочному резистору конденсатора С (на рисунке 72 он показан пунктиром). Во время положительного полупериода часть тока, пропускаемого диодом, идет на заряжение конденсатора. Во время же отрицательного полупериода, когда диод заперт, конденсатор разряжается через Rн, создавая в нем ток в прежнем направлении. Благодаря этому пульсации напряжения на нагрузочном резисторе оказываются в значительной мере сглаженными.

Стабилитроны. Мы уже знаем, что при электрическом пробое p-n-перехода сила тока через переход нарастает очень круто. Этот участок вольт-амперной характеристики может быть использован для стабилизации напряжения. Наилучшими для этой цели являются кремниевые диоды. На рисунке 74 приведена обратная ветвь характеристики такого диода, из которой видно, что при достижении напряжения пробоя очень незначительные изменения напряжения вызывают изменения силы тока через диод в очень широких пределах (в десятки раз).

Рис. 74
Рис. 74

На рисунке 75 приведена схема стабилизации напряжения. Диод-стабилитрон включается параллельно нагрузке Rн, на которой необходимо создать стабилизированное напряжение при наличии колебаний напряжения на зажимах источника. Как видно из схемы, в цепь последовательно включается ограничительный резистор. Его сопротивление Rогр подбирается так, чтобы через стабилитрон шел ток, соответствующий средней части рабочего диапазона (точка Р на рисунке 74). Если напряжение на зажимах источника, например, увеличивается, то будет увеличиваться и сила тока в цепи. Однако увеличение силы тока через стабилитрон (даже в значительных пределах) происходит при практически неизменном напряжении на нем, благодаря чему остается неизменным и напряжение на нагрузке Rн. Вместе с тем увеличение тока через ограничительный резистор приводит к возрастанию падения напряжения на нем. Таким образом, все изменение напряжения питания гасится ограничительным резистором, в то время как на сопротивлении нагрузки поддерживается постоянное напряжение Uст.

Рис. 75
Рис. 75

На основе кремниевых p-n-переходов в настоящее время изготовляются стабилитроны с напряжением стабилизации от 1 до 300 В.

Варикапы. В режиме обратного смещения работают и диоды, используемые в качестве переменной емкости, - варикапы. В отличие от обычных конденсаторов переменной емкости, управляемых механически, изменение емкости варикапов осуществляется путем изменения значения обратного напряжения смещения. Схема включения варикапа для перестройки частоты колебательного контура приведена на рисунке 76.

Рис. 76
Рис. 76

При изменении с помощью потенциометра R обратного напряжения, подаваемого на варикап, изменяется его барьерная емкость, благодаря чему изменяется и резонансная частота колебательного контура. Резистор Rдоб, имея достаточно большое сопротивление, предотвращает шунтирование контура потенциометром R, а конденсатор Ср является разделительным. Если бы его не было, то варикап был бы накоротко замкнут катушкой L (по постоянной составляющей напряжения).

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • Создан новый российский 28-нанометровый процессор для Интернета вещей и компьютерного зрения
  • Процессоры «Байкал» проверили на промышленную пригодность огнем, заморозкой и плесенью
  • Intel - уже не крупнейший производитель полупроводников
  • 'Ростех' показал компьютеры на базе российских процессоров 'Эльбрус-8С'
  • 'Байкал Электроникс' выполнила очередной этап проекта по промышленному производству микропроцессоров
  • Представлен самый сложный на сегодняшний день микрочип, изготовленный из двумерного материала
  • Инженеры IBM уместили 30 млрд транзисторов на чип размером с ноготь
  • Samsung может обогнать Intel и стать производителем чипов №1
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2018
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'