Полупроводники стремительно ворвались в науку и технику нашего века. Колоссальная экономия в энергопотреблении, удивительная компактность аппаратуры за счет необычайно большой плотности упаковки элементов в схемах, высокая надежность позволили полупроводникам завоевать ведущее положение в электронике, радиотехнике и науке. Исследования в космосе, где так критичны требования к размерам, весу и энергозатратам, в настоящее время немыслимы без полупроводниковых устройств, которые, кстати, и энергию-то в автономном полете аппарата получают от солнечных батарей, работающих на полупроводниковых элементах.
Удивительные перспективы в развитии полупроводниковой техники открыла микроэлектроника. Применение микроэлектронной технологии позволило перейти от полупроводниковых приборов, собираемых из отдельных элементов, к созданию и применению так называемых интегральных схем. Современная технология дает возможность на 1 см2 создать 105 элементов. Используя созданные в последние годы слоистые структуры (металл-нитрид-диэлектрик-полупроводник), можно на 1 мм2 их поверхности получить 108 участков, несущих определенную информацию. Считывать эту информацию можно не только с помощью электрических сигналов, но и применяя лазерное излучение, получаемое от тех же полупроводниковых инжекционных лазеров.
Однако возможности полупроводников еще далеко не исчерпаны, и они ждут своих новых исследователей.