17.02.2014

Создан самый быстрый в мире транзистор на основе кремния и германия

Специалисты из Micron Technology и Sony отрапортовали об очередных достижениях в разработке энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM, или ReRAM). По 27-нанометровой технологии созданы 16-гигабитные чипы этого типа. О разработке объявлено на международной конференции по твердотельным схемам ISSCC 2014, которая на прошлой неделе проходила в Сан-Франциско (Калифорния, США).

Коротко напомним принцип функционирования RRAM. Диэлектрики, которые в нормальном состоянии имеют очень высокое сопротивление, после приложения достаточно высокого напряжения могут сформировать внутри себя проводящие нити низкого сопротивления и, по сути, превратиться из диэлектрика в проводник. То есть материал фактически является управляемым постоянным резистором с двумя или более переключаемыми уровнями сопротивления. Чтение информации происходит с помощью приложения к одному концу резистора некоторого низкого напряжения и измерению уровня напряжения на другом конце.

Представленные RRAM-изделия ёмкостью 16 Гбит совмещают "скорость передачи данных, превышающую показатели флеш-памяти NAND", и ёмкость, характерную для DRAM. То есть, по сути, новые чипы объединяют достоинства двух названных типов памяти - высокую пропускную способность и энергонезависимость.

В продемонстрированных RRAM-чипах задействован DDR-интерфейс; пропускная способность составляет 1 Гбит/с. Используется архитектура из восьми блоков памяти, аналогичная DRAM. Показатели скорости удалось улучшить за счёт работы в параллельном режиме и конвейерного тракта данных.

Заявленная скорость передачи информации в режиме чтения достигает 1 Гб/с, в режиме записи - 200 Мб/с. Задержка в режимах чтения и записи составляет соответственно 2 и 10 мкс.

Ячейки разработанной Micron и Sony памяти содержат выбирающий транзистор и элемент с изменяемым сопротивлением. Последний имеет двухслойную структуру из специальной плёнки на основе теллурида меди и изоляционного материала. Площадь микрочипов памяти равна 168 мм².

Ожидается, что новая память найдёт применение в твердотельных устройства хранения данных. О сроках массового производства не сообщается.

Разработкой RRAM также занимаются другие компании и научные коллективы; в их число входят SanDisk, Toshiba и Crossbar. Кстати, последняя уже создала рабочие образцы массивов ячеек RRAM, используя оборудование на коммерческом предприятии. Компания намерена лицензировать свою технологию сторонним производителям. Ожидается, что продукты на основе резистивной памяти с произвольным доступом появятся в течение двух-трёх лет.

Владимир Парамонов

Источники:

1. compulenta.computerra.ru