25.12.2012
Китай осваивает передовые технологии производства микросхем
Институт микроэлектроники Академии наук КНР (IMECAS) отрапортовал об очередных достижениях в разработке методик производства электронных микрочипов.
В Китае разработан полевой транзистор, ширина затвора которого равна 22 нанометрам. При этом предполагается применение технологии HKMG, которая основана на использовании диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) и транзисторов с металлическими затворами (metal gate).
В IMECAS отмечают, что достижение открывает путь к созданию микросхем с быстродействием "мирового класса и низкой рассеиваемой мощностью". В перспективе разработка позволит КНР уменьшить зависимость от иностранных производителей чипов, а также снизить стоимость изготовления электронных устройств. О сроках внедрения технологии не сообщается.
Напомним, что 22-нанометровую методику при выпуске компьютерных процессоров сейчас применяет корпорация Intel. А Samsung готовится к внедрению 14-нанометровой технологии изготовления "систем на чипе" по передовой методике FinFET (Double-Gate Field-Effect Transistors), которая предусматривает применение транзисторов с трёхмерной структурой.
Источники:
При использовании материалов сайта активной гиперссылки обязательна:
http://rateli.ru/ 'Радиотехника'