10.05.2011

Intel запускает в серию трёхмерный транзистор

Американцы нашли простой и оригинальный способ нивелировать важную проблему в работе транзисторов, возникающую при уменьшении их размеров. В сравнении с предшествующими схемы с транзисторами нового типа будут не только плотнее упакованы, но и смогут работать на 37% быстрее при сокращении потребления энергии вдвое.

Компания Intel решила проблему роста тока утечки через закрытый транзистор, вызывающего сбои в работе схем при сокращении размеров частей транзистора.

Если опускать детали, задача была такова. Чтобы затвор мог надёжнее управлять полупроводниковым каналом, необходима достаточная площадь контакта между ними. А при переходе на транзисторы меньшего размера площадь эта быстро падает. Выход же заключался в придании каналу объёмной формы.

Теперь этот элемент транзистора является не плоской площадкой, а прямоугольным гребнем, заметно возвышающимся над поверхностью схемы. Затвор окружает такой гребень с трёх сторон, а не с одной, как сделано в нынешних чипах.

Как уточняет Technology Review, Intel не является изобретателем данной технологии. Но компания усовершенствовала, довела до рабочего состояния и, что ещё примечательнее, до конвейера разработку, начатую учёными из Калифорнийского университета в Беркли (UC Berkeley) ещё в 1999 году.

Новые транзисторы уже были испытаны в рамках экспериментальных схем, а во второй половине нынешнего года Intel намерена начать производство чипов с трёхмерными транзисторами. Это будут как логические микросхемы, так и схемы памяти. Первоначально новинка будет внедрена в сериях процессоров, предназначенных для настольных систем, а позднее - и в "камнях" для мобильных устройств.

Трёхмерные гребни не только улучшают экономичность схемы. Новый дизайн транзисторов, в теории, позволяет поднять допустимый ток, проходящий через них, а также более тонко настраивать параметры работы каждого транзистора.

Самое приятное во всём этом - внедрение трёхмерных транзисторов в массы не потребует перестройки существующей технологии производства микросхем. Это один из факторов, благодаря которому перспективная разработка сумела добраться до серийного воплощения столь быстро.

Intel также утверждает, что трёхмерная технология будет использована и в поколении чипов, которое последует за 22-нанометровыми, то есть в схемах, создаваемых по 14-нанометровой технологии.

Леонид Попов

Источники:

1. membrana.ru