12.04.2011

Испытан скоростной графеновый транзистор

Компания IBM создала прибор с рекордно высоким для транзисторов на базе графена быстродействием и расширенным диапазоном рабочих температур.

Благодаря хорошей подвижности зарядов графен заслужил репутацию перспективного материала для электроники. Однако когда графеновый лист размещают на диэлектрической подложке (обычно - на диоксиде кремния), подложка влияет на поведение одноатомного листа углерода, создаёт эффект рассеивания носителей заряда.

Учёные из исследовательского центра Уотсона (IBM Thomas J. Watson Research Center) решили эту проблему. При помощи химического осаждения из пара они сначала создали на медной плёнке лист графена, а затем перенесли его на подложку из алмазоподобного углерода, в свою очередь расположенную на традиционной для электроники кремниевой пластине.

На этой базе исследователи построили полевой транзистор с затвором длиной всего 40 нанометров. На испытаниях прибор показал очень высокую частоту среза - 155 гигагерц.

Кроме того, авторы прибора проверили его функционирование при криогенных температурах (они негативно влияют на движение зарядов в полупроводниковых приборах). Выяснилось, что новый графеновый транзистор хорошо себя чувствует вплоть до температуры в 4,3 кельвина.

При этом американцы отмечают, что качество использованного графена было не самым высоким, так что достигнутые показатели - не предел для новой технологии.

Леонид Попов

Источники:

1. membrana.ru