04.04.2011

Физики открыли самоохлаждение графеновых транзисторов

Интересный эффект, обнаруженный американцами, сулит яркую перспективу электронике на основе одноатомных листов углерода. Похоже, с ней удастся избежать перегрева от омических токов при росте плотности размещения элементов схемы.

Учёные из университета Иллинойса (UIUC) использовали атомный силовой микроскоп как датчик температуры и провели первое измерение нагрева работающего графенового транзистора в нанометровом масштабе. Пространственное разрешение съёмки составило около 10 нанометров, а температурное разрешение - 250 милликельвинов.

"Измерения показали удивительные явления в областях, где углерод соединялся с металлом. Исследователи обнаружили, что эффект термоэлектрического охлаждения в местах контакта графена и электродов может быть более сильным, чем резистивный нагрев. На деле это снижает температуру транзисторов", - передаёт EurekAlert!

В кремнии и большинстве других материалов для микросхем термоэлектрические эффекты, способные локально охлаждать элементы схемы, в сравнении с омическим нагревом - невелики. Потому микросхемы прилично греются и требуют мощных систем охлаждения. А вот в графеновых транзисторах нашлись регионы, где термоэлектрическое охлаждение явно перевешивает разогрев от проходящего тока.

Ранее не наблюдавшееся в графеновой электронике явление означает, что в перспективе подобные схемы можно будет уплотнять, не сталкиваясь с проблемой перегрева и обходясь сравнительно простыми системами отвода тепла. И это весомый аргумент в пользу замены кремния графеном. Правда, пока электроника на такой необычной основе лишь делает первые шаги.

Леонид Попов

Источники:

1. membrana.ru