27.11.2014

Метод лазерного отслоения адаптирует гибкие чипы к современному производству

Температурная нестабильность полимеров накладывает серьезные ограничения на разработку гибких электронных систем, препятствуя интеграции органических материалов в высокопроизводительные производственные движения.

Исследовательский коллектив под руководством профессора кафедры материаловедения Корейского ведущего научно-технического института (KAIST), Кеона Чже Ли (Keon Jae Lee), выработал методологию ILLO (Inorganicbased Laser Lift-off), которая упрощает получение быстродействующих гибких схем.

Предложенный процесс включает в себя нанесение на жесткую подложку фотореактивного покрытия, а затем формирование поверх него сверхтонких неорганических электронных устройств, к примеру, высокоплотной решеточной структуры мемристорной памяти. Облучение лазером тыльной стороны подложки инициирует процесс отслоения в реактивном покрытии. В результате, электронная схема отделяется и может быть перенесена на гибкую базу из пластика, бумаги или даже ткани.

В экспериментах перенесенный таким образом на гибкие подложки механизм RRAM продемонстрировал полную функциональность оперативной памяти даже при значительной изгибной деформации.

Как указывает профессор Ли, при выборе оптимальной подложки и неорганического реактивного слоя создаваемый механизм сможет выдерживать температуры более 1000°C, характерные для самых передовых технологий промышленного производства микроэлектроники.

Константин Роков

Источники:

1. news512.ru