НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




05.06.2015

Роберт Бауэр

День рождения: 12.06.1936 года

Возраст: 79 лет

Место рождения: Санта-Моника, Калифорния, США

Гражданство: США

Роберт Бауэр
Роберт Бауэр

Создатель SAGFET-транзисторов

Полевые транзисторы с самосовмещенным затвором, несмотря на довольно непонятное название, играют большую роль в современной электротехнике. За право считаться изобретателем этих транзисторов в свое время шли нешуточные баталии в судах; в итоге победителем был признан американский физик Роберт Бауэр.

Американский ученый, физик. Более всего известен как создатель полевых транзисторов с самосовмещенным затвором.

Родился Роберт Бауэр в Санта-Монике, Калифорния (Santa Monica, California); в Калифорнии же он прожил почти всю свою жизнь - не считая 4 лет, проведенных на службе в ВВС. Отслужив свое, Бауэр поступил в Калифорнийский Университет (University of California, Berkeley); в 1962-м он получил степень бакалавра физики, в 1963-м - степень магистра электротехники.

В 1965-м Бауэр устроился в Исследовательскую лабораторию Хьюза (Hughes Research Laboratories) в Малибу, Калифорния (Malibu, California). В 1973-м Роберт стал доктором наук по прикладной физике. На данный момент Бауэр занимат профессорский пост в Калифорнийском Университете Дэвиса (University of California, Davis); преподает здесь он на протяжении уже 14 с лишним лет.

Еще в лаборатории Хьюза Бауэр много времени потратил на поиски элемента, идеально подходящего к любой схеме. Общая идея такого элемента была предложена еще в 1920-м Лилиенфельдом (Lilienfeld), однако реализовать в те времена задумку не удалось; в конце 50-х была придумана планарная технология, а позже и первые интегральные схемы.

Дальнейшим развитием изначальных идей стала МОП-структура; разработка Бауэра позволила перейти на новый уровень - с помощью самосовмещенных затворов. Патент на свое изобретение Бауэр получил 14 октября 1969-го.

Позже, однако, появились ученые, приписывавшие пальму первенства в данной области себе. Кервин (Kerwin), Клейн (Klein) и Сарас (Sarace) утверждали, что именно они являются настоящими создателями самосовмещенных затворов. На восстановление точной хронологии событий ушло немало времени; в конечном итоге было показано, что в 1966-м Бауэр и Ханс Дилл (Hans G. Dill) докладывались по самосовмещенным затворам на конференции 'International Electron Device Meeting' в Вашингтоне (Washington D. C). Бауэр получил на свое изобретение патент под номером 3,472,712; его конкуренты демонстрировали патент номер 3,475,234.

После долгих разбирательств выяснилось, что Дилл подал заявку на патент схожей технологии на день раньше Бауэра; номер его патента – 3,544,3999 – поставил в спорах довольно жирную точку. Разбирательства сами по себе в очередной раз продемонстрировали несовершенство существующей патентной системы и заставили суд признать, что тезис 'патент принадлежит тому, кто первый создал изобретение, а не тому, кто его первый запатентовал' в данный момент и в данной правовой системе является неверным.

Работу с разного рода транзисторами - и в частности, с МОП-транзисторами – Роберт продолжал и далее. В общей сложности за свою карьеру он опубликовал более 80 статей, запатентовал больше 28 изобретений и принял участие в написании 3 книг. Сравнительно недавно Бауэр примкнул к проекту 'Integrate Vertical Modules'; сейчас он работает над трехмерными сверхплотными структурами. За свою активную научную деятельность Бауэр удостоился ряда престижных премий. В 1997-м изобретение полевых транзисторов с самосовмещенным затвором принесло ему место в Национальном Зале Изобретательской Славы (National Inventors Hall of Fame). В 1999-м Роберт получил место в Национальной Инженерной Академии (National Academy of Engineering) – что по сей день является одной из престижнейших наград, которой в принципе может удостоиться инженер. Роберт Бауэр продолжает свои научные изыскания и сейчас; вполне возможно, что в будущем список его наград изрядно возрастет.

Иван Матковский


Источники:

  1. peoples.ru


ИНТЕРЕСНО:
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'