12.04.2016

Разработан новый тип высокоскоростной магнитной памяти

Она основана на эффекте индуцированного спин-орбитального момента.

В течение нескольких десятилетий ученые пытались разработать эффективную магнитную память с произвольным доступом (magnetic random access memory, MRAM), в которой информация хранится в виде направления намагниченности частички магнитного материала. Так как намагниченность материала может быть изменена с очень большой скоростью, такой тип памяти рассматривается в качестве замены полупроводниковой статической памяти (SRAM) и динамической памяти (DRAM).

Однако, при создании ячеек MRAM-памяти различного типа ученые сталкивались с рядом достаточно сложных проблем. Исследовательская группа из университета Тохоку (Tohoku University), возглавляемая профессором Хидео Оно (Hideo Ohno) и адъюнкт-профессором Сюнсукэ Фуками (Shunsuke Fukami), разработала структуру ячеек нового типа магнитной памяти, основанных на эффекте индуцированного спин-орбитального момента (spin-orbit-torque, SOT). Переключение намагниченности ячейки памяти производится путем воздействия протекающего через ячейку электрического тока на орбиты вращения электронов атомов материала, а само переключение может производиться очень быстро, в течение наносекунд.

Созданная ячейка памяти кардинально отличается от существующих. В новой ячейке имеется не четыре, а три электрода, которые соединяются со структурой магнитного туннельного перехода, состоящего из различных материалов - Ta/CoFeB/MgO.

Источники:

1. www.elcomdesign.ru