НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




17.01.2017

«Швабе» запатентовал полупроводниковый излучатель для лазерной техники

Предприятие холдинга «Швабе» получило патент на полупроводниковый излучатель.

«Швабе» запатентовал полупроводниковый излучатель для лазерной техники
«Швабе» запатентовал полупроводниковый излучатель для лазерной техники

Данное изделие на 10% превосходит существующие аналоги по выходным мощностным характеристикам и на 30% - по ресурсу работы.

Устройство, разработанное специалистами предприятия холдинга «Швабе» - Научно-исследовательского института «Полюс» (НИИ «Полюс»), относится к области полупроводниковой квантовой электроники и применяется при изготовлении различной лазерной техники. Особенностями новинки НИИ «Полюс» является то, что все части пассивной секции полупроводникового излучателя имеют изоляционное покрытие, а каждая диодная линейка изделия является лазерной или суперлюминесцентной.

«Изменение конструкции устройства позволило нам при неизменности пространственных показателей излучения увеличить на 10% выходные мощностные характеристики и на 30% ресурс работы по сравнению с существующими аналогами. Помимо этого нам удалось повысить электростабильность и надежность работы изделия», - рассказал генеральный директор Научно-исследовательского института «Полюс» Евгений Кузнецов.

Запуск нового полупроводникового излучателя НИИ «Полюс» в серийное производство запланирован в 2018 году.


Источники:

  1. i-mash.ru


ИНТЕРЕСНО:
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'