27.12.2017

В России начато производство GaN-транзисторов для сетей связи 5G

«Холдинг «Росэлектроника» приступил к выпуску нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для создания сетей связи 5G и нового поколения систем радиолокации.

Опытные образцы приборов прошли испытания в составе квадрокоптеров, радиостанций и аппаратуры локации аэропортов и в настоящее время поставляются более 20 предприятиям для тестовой эксплуатации».

Разработали транзисторы в воронежском АО «НИИ электронной техники» (в составе холдинга входит в Концерн «Созвездие»). Выходная мощность решений от 5 до 50 Вт. Сообщается, что транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами. Кроме сотовых сетей транзисторы GaN используются в силовой электронике: в блоках питания и преобразователях. У них предельно высокий КПД, что позволяет сделать блоки питания до 10 раз компактнее аналогов на кремниевых элементах. В свете развития электротранспорта в чистом виде и гибридного - это решающее преимущество.

Добавим, в сентябре этого года комитет JEDEC создал две рабочие группы по стандартизации так называемых широкозонных полупроводников, куда входят как GaN, так и карбид-кремниевые (SiC) решения. Сегодня львиная часть рынка GaN и SiC транзисторов принадлежит компаниям Infineon и Wolfspeed и составляет порядка 70%. Вдвойне приятно, что российские GaN-транзисторы не только разработаны, но и попали в производство.

Источники:

1. www.russianelectronics.ru