НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ







09.01.2019

Созданы 128 Мб чипы STT-MRAM памяти, имеющие рекордно быстрое время записи информации

Первый в своеё роде 128 Мб чип памяти STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory), время записи информации которого не превышает 14 наносекунд, был создан группой исследователей из университета Тохоку, Япония. Это время является рекордно быстрым временем записи для различных типов встраиваемой памяти с плотность более чем 100 Мб, а сама такая память, благодаря её определённым характеристикам, может быть использована в качестве кэш-памяти, памяти для устройств Интернета вещей и искусственного интеллекта.

Память STT-MRAM отличается высокой скоростью работы и потребляет небольшое количество энергии, помимо этого, она является энергонезависимой, сохраняя записанные в нее данные при отключении питания. Из-за этих особенностей такая память рассматривается в качестве перспективного варианта для реализации основной памяти встраиваемых систем, быстрой кэш-памяти для микропроцессоров и программируемой логики.

Отметим, что в течение прошедшего 2018 года всего три завода в мире начали производство чипов STT-MRAM памяти, но, к сожалению, емкость этих чипов находится в диапазоне от 8 до 40 мегабит, чего недостаточно с учетом нынешних требований.

Как уже упоминалось выше, исследователям из центра CIES (Center for Innovative Integrated Electronic Systems) университета Тохоку удалось упаковать на кристалл чипа массив STT-MRAM памяти, емкостью 128 Мб. Главную роль в этом достижении сыграл многоэтапный процесс миниатюризации ячеек памяти, основой которых является магнитный туннельный переход (magnetic tunnel junction, MTJ), включенный в общую схему при помощи стандартных CMOS-технологий.

В данном случае магнитные туннельные переходы были сформированы прямо внутри переходных отверстий (via), соединяющих различные слои полупроводникового материала. Именно это позволило сократить размер ячейки памяти и создать чип, емкостью в 128 Мб. После создания экспериментального образца такого чипа исследователи измерили время записи информации, которое было равно 14 наносекундам при напряжении питания в 1.2 Вольта.

Сейчас же эта группа исследователей продолжает работу в двух направлениях. Первым направлением, естественно, является адаптация разработанной ими структуры ячейки памяти к условиям и требованиям крупномасштабного промышленного производства. Это, в свою очередь, позволяет надеяться на скорое появление на рынке 128 Мб чипов STT-MRAM памяти. Параллельно с этим исследователи работают над совершенствованием структуры ячейки памяти, что в перспективе позволит еще уменьшить время записи в нее информации и уменьшить количество требующейся для этого энергии.


Источники:

  1. www.dailytechinfo.org







© Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2020
При цитировании установка активной гиперссылки обязательна:
http://rateli.ru/ 'Радиотехника'