НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ







Современная терраса: материалы и оборудование

25.03.2020

5-нм техпроцесс TSMC рекордно уплотняет транзисторы на чипах

Повышение плотности размещения транзисторов на 84-87% по сравнению с 7-нанометровыми техпроцессом обеспечивает техпроцесс TSMC N5P.

Проанализировав 5-нанометровый техпроцесс TSMC N5P, специалисты WikiChip признали значительное повышение плотности размещения транзисторов на кристалле по сравнению с N7 - наиболее передовым на сегодня техпроцессом TSMC, в котором не используется EUV. Как утверждается, выигрыш достигает 87%. Отметим, что собственная оценка TSMC составляет 84%. Ожидается, что выпуск продукции с применением техпроцесса N5P начнется в конце этого года. Рисковое производство по предшествующему техпроцессу TSMC N5 уже началось в начале года, а коммерческое должно начаться в апреле или мае, если сроки не будут сорваны пандемией COVID-19.

Техпроцесс N5P обеспечивает плотность приблизительно 171,3 млн транзисторов на 1 мм2. В случае N7 этот показатель равен 91,2 млн транзисторов на 1 мм2. Ожидается, что крупнейшим заказчиком продукции, изготовленной с использованием техпроцесса N5P, в 2020 году станет компания Apple, которая проектирует в расчете на этот техпроцесс однокристальную систему серии A14.


Источники:

  1. russianelectronics.ru







© RATELI.RU, 2010-2020
При использовании материалов сайта активной гиперссылки обязательна:
http://rateli.ru/ 'Радиотехника'


Поможем с курсовой, контрольной, дипломной
1500+ квалифицированных специалистов готовы вам помочь