НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 4.3. Нерегулярные явления в ионосфере

Регулярная слоистая структура ионосферы, рассмотренная в § 4.2, временами нарушается. Причиной этого являются изменения в деятельности Солнца, наблюдающиеся особенно часто в годы максимума солнечной активности. Рассмотрим кратко основные нерегулярные явления в ионосфере.

1. Ионосферно-магнитные бури. На Солнце время от времени происходят своеобразные вспышки, сопровождаемые извержением потоков заряженных частиц. Эти потоки, попадая в атмосферу Земли, под действием земного магнитного поля движутся по сложным траекториям к полярным районам.

Интенсивные потоки заряженных частиц нарушают нормальный режим ионизированных слоев и вызывают так называемые ионосферно-магнитные бури. Процессы, происходящие в это время, полностью не изучены. Одна из теорий следующая. Заряженные частицы, проникая в атмосферу, не только ионизируют ее, но и повышают температуру газа, что приводит к уменьшению его плотности, а следовательно, и к уменьшению электронной плотности. При интенсивных потоках заряженных частиц второй фактор оказывается более сильно действующим, особенно в области внешнего ионосферного слоя F. Во время ионосферно-магнитных бурь уменьшается электронная плотность слоя F и увеличивается его высота. Электронная плотность слоя E не изменяется, так как заряженные частицы не проникают в эту область ионосферы.

В результате уменьшения электронной плотности слоя F отражение коротких волн от него становится невозможным и связь нарушается. Нарушения связи могут продолжаться от нескольких часов до нескольких суток. Особенно часты нарушения связи в приполярных районах. Существуют методы прогнозирования ионосферных возмущений. Рассмотренное явление носит название ионосферно-магнитной бури потому, что одновременно с нарушением структуры ионосферы наблюдаются изменения в магнитном поле Земли. Магнитное поле Земли частично обусловлено движением зарядов в ионосфере, и всякое изменение электронной плотности ионосферы приводит к изменению магнитного поля Земли.

2. Внезапные вспышки поглощения. Временами на Солнце происходят вспышки интенсивного ультрафиолетового излучения, которое обладает большой проникающей способностью, так как содержит волны короче 0,1 мкм и вызывает сильную ионизацию области D ионосферы. Увеличение ионизации в области D приводит к усиленному поглощению коротких радиоволн и нарушению связи на этих волнах. Средние и длинные волны по-прежнему распространяются, так как в это время они отражаются от области D. Повышенная ионизация области D продолжается от нескольких минут до нескольких часов и может возникать только на освещенной стороне земного шара. В экваториальных областях это явление происходит чаще и проявляется интенсивнее.

3. Спорадический слой Es. Помимо регулярных слоев, в ионосфере время от времени на высоте 90÷110 км образуется спорадический (нерегулярный) слой Es. Он представляет собой скопление ионизированного газа гораздо большей электронной плотности, чем плотность окружающей среды на той же высоте.

Спорадический слой появляется над сравнительно небольшой территорией и может перемещаться под действием господствующих в ионосфере ветров в каком-либо направлении со скоростью 150÷250 км/ч.

Спорадический слой чаще всего появляется в южных широтах летом в дневные часы. Так, в экваториальной зоне в дневное время он присутствует ежедневно, а в средних широтах в дневное время летом - 15÷20 дней в месяц. Иногда спорадический слой существует несколько часов, а иногда несколько минут. Зимой в средних широтах слой Es появляется редко.

Изменение частоты появления слоя Es в зависимости от времени суток (в летние месяцы) и времени года (в дневные часы) показано на рис. 4.4.

Рис. 4.4. Частота появления спорадического слоя Es в средних широтах: а - суточный ход; б - сезонный ход
Рис. 4.4. Частота появления спорадического слоя Es в средних широтах: а - суточный ход; б - сезонный ход

Причины образования спорадического слоя не установлены, поэтому не удается предсказать время его появления и продолжительность существования. Слой Es обусловливает возможность нерегулярного распространения метровых волн на расстояния 1000÷2000 км.

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • 'Ростех' показал компьютеры на базе российских процессоров 'Эльбрус-8С'
  • 'Байкал Электроникс' выполнила очередной этап проекта по промышленному производству микропроцессоров
  • Представлен самый сложный на сегодняшний день микрочип, изготовленный из двумерного материала
  • Инженеры IBM уместили 30 млрд транзисторов на чип размером с ноготь
  • Samsung может обогнать Intel и стать производителем чипов №1
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'