НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 4.4. Тонкая неоднородная структура ионосферы

Наблюдения за сигналами, отраженными от ионосферы, показали, что их амплитуда быстро меняется во времени, причем эти изменения носят нерегулярный характер. Обработка результатов измерений колебаний амплитуды отраженного сигнала привела к выводу, что поле отраженной волны состоит из нескольких компонентов [10]. Основная часть энергии волны отражается от ионосферы и создает регулярную отраженную волну. Кроме того, существует большое число рассеянных волн со случайными амплитудами и фазами. Наличие рассеянных волн говорит о том, что ионосферные слои неоднородны и в горизонтальном направлении. Непрерывное изменение амплитуд и фаз рассеянных волн происходит благодаря флуктуациям неоднородностей. В ионосфере непрерывно происходят сгущения и разрежения плотности ионизации, нерегулярные как во времени, так и от точки к точке. Помимо этого, под действием ветров вся неоднородная структура ионосферы перемещается. Причина образования неоднородностей в ионосфере пока не установлена. Предполагают, что основной причиной является турбулентное движение ионизированного газа.

Анализ рассеянных сигналов позволил составить представление о структуре неоднородностей. Неоднородности представляются некоторыми областями с электронной плотностью, отличной от среднего значения электронной плотности на данной высоте ионосферы. Размеры неоднородностей лежат в очень широких пределах - от нескольких метров до нескольких километров. На высоте 60÷80 км, т. е. в области D, преобладают более мелкие неоднородности размером до десятков метров, в слое Е - неоднородности размером 200÷300 м, а в слое F - неоднородности размером до нескольких километров. Обнаружено, что неоднородности слоя F имеют продолговатую форму и вытянуты вдоль силовых линий магнитного поля Земли.

Отклонение электронной плотности неоднородностей от среднего значения электронной плотности окружающего ионизированного газа составляет (0,1÷1)%. Скорость движения неоднородностей не превышает 1÷10 м/с [10].

В настоящее время явление рассеяния радиоволн на неоднородностях ионосферы нашло практическое применение. Путем рассеяния сигналов неоднородностями ионосферы осуществляется радиосвязь на метровых волнах на расстоянии 1000÷2000 км.

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'