НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 4.19. Измерение электронной плотности фазометрическим методом

Данные о распределении электронной плотности по всему вертикальному разрезу атмосферы можно получить при условии, если источник излучения радиоволн с частотами, превышающими критические частоты ионосферных слоев, перемещается по высоте в самой ионосфере. Это выполняется при запуске геофизических ракет, искусственных спутников Земли и космических кораблей. Измерение электронной плотности производят по наблюдениям за изменением какого-либо параметра радиоволн, принимаемых на Земле, при перемещении передатчика в ионосфере [3,5, 30, 46]. Например, электронную плотность оценивают по изменению плоскости поляризации волны, частоты Допплера, фазовой скорости, поскольку все эти величины зависят от электронной плотности среды, в которой происходит распространение. Наиболее часто используют фазометрический метод, основанный на измерении разности фаз двух волн, распространяющихся с различными фазовыми скоростями. Передатчик, перемещающийся в ионосфере, генерирует основную частоту и третью гармонику. В приборах используются, например, передатчики, генерирующие частоту f1 = 48 МГц и f2 = 144 МГц. Для таких частот диэлектрическая проницаемость ионосферы практически не зависит от числа столкновений электрона с тяжелыми частицами и мало отличается от единицы, так что можно считать


Волны, имеющие различные частоты колебаний f1 и f2, распространяются в ионосфере с различными фазовыми скоростями, причем величины этих скоростей меняются при изменении электронной плотности согласно (4.117). При прохождении волнами в ионосфере пути dh фаза волны с частотой f1 изменяется на величину


а фаза волны с частотой f2 - на величину


При прохождении волнами в ионосфере пути h между излучающей и приемной антеннами, когда последняя расположена на Земле, фаза каждой из волн изменяется соответственно на величины:


В приемнике, расположенном на Земле, частоту f1 умножают на 3 и сравнивают фазы колебаний равных частот f2 и 3f1. Разность фаз равна


или, учитывая (4.117)


Если излучатель радиоволн переместится в ионосфере на расстояние Δh, то разность фаз, определяемая (4.123), изменится на величину


Средняя электронная плотность на некотором участке высот


Сопоставляя выражения (4.124) и (4.125), получим формулу, связывающую среднюю электронную плотность на некотором участке высот с изменением разности фаз принятых колебаний:


Это соотношение позволяет по измеренной разности фаз определить электронную плотность. Измерение перемещения излучателя по высоте производят точным оптическим методом.

Исследование ионосферы фазометрическим методом позволило установить распределение электронной плотности по всей толще ионосферы и точно измерить действительную высоту расположения максимумов ионизации. Однако этот метод не дает возможности вести регулярные наблюдения за состоянием ионизированных слоев.

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • 'Ростех' показал компьютеры на базе российских процессоров 'Эльбрус-8С'
  • 'Байкал Электроникс' выполнила очередной этап проекта по промышленному производству микропроцессоров
  • Представлен самый сложный на сегодняшний день микрочип, изготовленный из двумерного материала
  • Инженеры IBM уместили 30 млрд транзисторов на чип размером с ноготь
  • Samsung может обогнать Intel и стать производителем чипов №1
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'