8.4. Анализ амплитудно-частотных характеристик каскада структуры h с использованием транзисторов по схеме с общей базой и симметрирующих устройств

Транзисторные УРУ параллельной структуры целесообразно использовать в качестве маломощных предварительных усилителей. Для усиления сигналов с амплитудой более 0,1 В они мало пригодны. Объясняется это тем, что увеличение амплитуды входного сигнала при постоянном уровне нелинейных искажений предполагает соответствующее увеличение эмиттерных и коллекторных токов транзисторов. Но увеличение постоянных составляющих этих токов, как известно, приводит к уменьшению входных сопротивлений транзисторов и, следовательно, к увеличению потерь во входной линии каскада. Таким образом, в каскаде параллельной структуры существует неблагоприятное сочетание ряда факторов, ограничивающих широкополосные усилительные и динамические свойства каскада.

В каскаде последовательно-параллельной структуры входное сопротивление усилительного элемента включается в продольное плечо фильтра входной линии. Поэтому уменьшение входных сопротивлений транзисторов с ростом их эмиттерных токов будет приводить не к увеличению, а к уменьшение. Следовательно, УРУ последовательно-параллельной линии структуры целесообразно выполнять на сравнительно мощных транзисторах. Поэтому такие усилители могут найти применение в качестве выходных каскадов различных приемоусилительных устройств.

Рис. 8.9. Схема секции каскада на транзисторах с ОБ с применением СУ по схеме двухпроводной длиной линии

Рис. 8.10. Симметрирующее устройство на ферритовом кольце

Для построения транзисторных УРУ последовательно-параллельной структуры лучше использовать включение транзистора по схеме с ОБ, так как оно обеспечивает самое низкое входное сопротивление транзистора. Однако для обеспечения последовательного включения входа транзистора в продольное плечо фильтра необходимы широкополосные симметрирующие устройства.

Известны две разновидности УРУ последовательно-параллельной структуры на транзисторах с ОБ (рис. 1.5 и 8.9). Схема рис. 1.5 предложена Б. М. Сосиным [5], схема рис. 8.9 - Л Я. Шапиро [6]. Обе схемы отличаются друг от друга только различным включением симметрирующих устройств (СУ): в схеме рис. 1.5 СУ используется как двухобмоточный трансформатор, в схеме рис. 8.9 - как двухпроводная симметрирующая линия. Катушки индуктивности СУ могут быть намотаны, например, на ферритовом кольце двумя параллельными проводниками (рис. 8.10). Недостатком каскада структуры h является наличие симметрирующих устройств, ограничивающих полосу пропускания со стороны нижних и верхних частот и усложняющих конструкцию каскада.