НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 8.8. Определение зависимых начальных условий

Значения зависимых токов, напряжений и производных в момент коммутации могут быть найдены непосредственным применением законов Кирхгофа либо с помощью эквивалентных схем.

Определение зависимых начальных условий с помощью законов Кирхгофа. 1. По законам коммутации определяют iL(0-) и uС(0-). 2. Для цепи, образованной после коммутации, составляют уравнения Кирхгофа и записывают их для момента коммутации t = 0 с учетом iL(0-) и uС(0-). 3. Полученную систему алгебраических уравнений решают относительно искомых величин при t = 0.

В случае необходимости, например, для определения первой и второй производных при t = 0 уравнения Кирхгофа дифференцируют и решают совместно для t = 0.

Определение зависимых начальных условий по эквивалентным схемам. Эквивалентные схемы составляют для момента коммутации t = 0 отдельно при определении начальных токов, напряжений и производных. Составление эквивалентных схем основывается на теореме компенсации.

1. Для послекоммутационной схемы при t = 0 вместо индуктивных и емкостных элементов включают в схему соответственно источники тока и напряжения. Токи источников тока по величине и направлению равны iL(0-). Напряжения источников напряжения по величине равны uС(0-) и имеют противоположное направление. Полученные схемы постоянного тока без накопителей энергии рассчитывают с помощью любого метода расчета электрических цепей. При этом кроме искомых величин определяют напряжения на индуктивных uL(0) и токи в емкостных iC(0) элементах. Полученные значения используют в последующих эквивалентных схемах для расчета производных при t = 0.

2. Эквивалентная схема, составленная для определения первых производных при t = 0, содержит источник напряжения с напряжением, равным du/dt, вместо индуктивного элемента - источник тока uL(0)/L, совпадающий по направлению с током iL(0) и вместо емкостного элемента - источник напряжения iC(0)/С, направленный противоположно uС(0).

Аналогично составляют эквивалентные схемы для определения высших производных при t = 0. Каждый раз из предыдущей схемы находят (по величине и направлению) токи и напряжения источников, заменяющих соответственно индуктивные и емкостные элементы.

Пример. Составить эквивалентную схему для определения в начальный момент t = 0 токов во всех ветвях схемы рис. 8.3.

Решение. Рассчитаем независимые начальные условия по законам коммутации:


Составим схему замещения для токов (рис. 8.4). Искомые токи определяем методом контурных токов по схеме рис. 8.4:


Рис. 8.4
Рис. 8.4

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • Создан новый российский 28-нанометровый процессор для Интернета вещей и компьютерного зрения
  • Процессоры «Байкал» проверили на промышленную пригодность огнем, заморозкой и плесенью
  • Intel - уже не крупнейший производитель полупроводников
  • 'Ростех' показал компьютеры на базе российских процессоров 'Эльбрус-8С'
  • 'Байкал Электроникс' выполнила очередной этап проекта по промышленному производству микропроцессоров
  • Представлен самый сложный на сегодняшний день микрочип, изготовленный из двумерного материала
  • Инженеры IBM уместили 30 млрд транзисторов на чип размером с ноготь
  • Samsung может обогнать Intel и стать производителем чипов №1
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2018
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'