НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 2.5. Учет сферичности земной поверхности при пользовании интерференционными формулами

При расстояниях между передатчиком и приемником 0,2r0 < r < 0,8r0 следует учитывать сферичность Земли. Схема распространения радиоволн с учетом сферичности Земли изображена на рис. 2.14.

Рис. 2.14. Учет влияния сферичности Земли на распространение радиоволн при r 0,8r0
Рис. 2.14. Учет влияния сферичности Земли на распространение радиоволн при r < 0,8r0

Если в точке отражения волны провести плоскость, касательную к земному шару, и отсчитывать высоты антенн от этой плоскости, то картина распространения радиоволн над сферической Землей будет аналогична картине распространения волн над плоской поверхностью.

Для определения напряженности поля на расстояниях, меньших r0, можно пользоваться формулой (2.29), подставляя в нее вместо действительных высот антенн h1 и h2 приведенные высоты h1′ и h2′.

При таком подходе разность хода лучей сохраняется и угол падения волны на поверхность Земли остается неизменным, следовательно, результат будет правильным.

Для расчета напряженности поля нужно найти приведенные высоты h1′ и h2′ по известным высотам h1 и h2 и расстоянию r. Если бы рис. 2.14 был изображен с соблюдением масштаба, то было бы видно, что высоты h1 и h1′ почти не имеют углового расхождения и можно считать

h1′ = h1 - Δh1;
h2′ = h2 - Δh2. (2.30)

Из треугольников ОА1С и ОСВ1 можно найти

A1C = √2R0Δh1 и Δh1 = (A1C)2 / 2R0;

где R0 - радиус земного шара.

Определение положения точки отражения С в общем случае связано с громоздкими вычислениями. Рассмотрение крайних случаев малых и больших расстояний можно упростить.

При небольших расстояниях положение точки отражения можно найти так же, как для плоской земной поверхности:


При значительных расстояниях, близких к расстоянию прямой видимости, прямая А1В1 и ломаная АСВ почти сливаются, и можно считать


Учитывая, что


находим


Для промежуточных случаев положение точки С берут как среднее из двух положений, определяемых формулами (2.32) и (2.33).

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • 'Ростех' показал компьютеры на базе российских процессоров 'Эльбрус-8С'
  • 'Байкал Электроникс' выполнила очередной этап проекта по промышленному производству микропроцессоров
  • Представлен самый сложный на сегодняшний день микрочип, изготовленный из двумерного материала
  • Инженеры IBM уместили 30 млрд транзисторов на чип размером с ноготь
  • Samsung может обогнать Intel и стать производителем чипов №1
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем




  • Лично я купил здесь усилитель сотовой связи для дачи ВЕГАТЕЛ.


    © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'