НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 2.6. Поле направленного излучателя, поднятого над плоской земной поверхностью

Пусть антенна, обладающая резко выраженным направленным излучением, расположена на высоте h1 >> λ над плоской земной поверхностью.

Для анализа структуры поля в вертикальной плоскости антенны применяется тот же метод, что и для анализа структуры поля элементарного электрического вибратора.

Предположим, что форма диаграммы направленности антенны в вертикальной плоскости описывается некоторой функцией F1(ξ) = F(θ), а θ и θ' определяют направления прямой и отраженной волн (рис. 2.15).

Рис. 2.15. Схема распространения радиоволн в случае, когда направленная антенна расположена на высоте h A, над плоской земной поверхностью
Рис. 2.15. Схема распространения радиоволн в случае, когда направленная антенна расположена на высоте h1 >> λ, над плоской земной поверхностью

Мгновенное значение напряженности электрического поля падающей волны с учетом формул (1.10) и (1.11)


а мгновенное значение напряженности поля отраженной волны


где


Проводя преобразования, аналогичные приведенным в § 2.3, получим выражение для результирующей амплитуды напряженности электрического поля:


Величины R и Φ следует вычислять для соответствующей поляризации волны, для данного вида земной поверхности и угла падения θ'. Очевидно, что влияние земной поверхности проявляется в дополнительной изрезанности диаграммы направленности. Величины максимумов лепестков обусловлены главным образом формой диаграммы направленности антенны (рис. 2.16).

Рис. 2.16. Диаграмма направленности остронаправленной антенны, расположенной на высоте над поверхностью Земли
Рис. 2.16. Диаграмма направленности остронаправленной антенны, расположенной на высоте h1 >> λ над поверхностью Земли

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'