НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 4.7. Поглощение радиоволн и нелинейные явления в ионизированном газе

Проследим частотную зависимость поглощения радиоволн в ионизированном газе. Для низких частот ω < ν, ε и γ не зависят от частоты. С другой стороны, для низких частот ε < 60γλ. Согласно (1.57) и (4.25), можно записать выражение для коэффициента поглощения α:


Поглощение в этом диапазоне частот возрастает с увеличением частоты.

Для высоких частот ω < ν, ε и γ зависят от частоты. В этом диапазоне частот выполняется условие ε >> 60γλ, ε ≈ 1. Согласно (1.56) и (4.23), коэффициент поглощения


Поглощение в этом диапазоне частот убывает с увеличением частоты. Следовательно, зависимость поглощения от частоты описывается кривой, имеющей максимум. Можно показать, что этот максимум находится в области частот ω, близких к ν (рис. 4.7).

Рис. 4.7. Частотная зависимость коэффициента поглощения радиоволны в ионизированном газе при Nэ = 105 эл/см3, v = 105 с-1
Рис. 4.7. Частотная зависимость коэффициента поглощения радиоволны в ионизированном газе при Nэ = 105 эл/см3, ν = 105 с-1

Физическая причина такой частотной зависимости поглощения радиоволн заключается в том, что в диапазоне частот ω < ν время свободного пробега электрона τ меньше периода колебаний Т. За время τ < Т электрон набирает малую часть энергии волны, и энергия волны передается нейтральным молекулам малыми порциями.

При ω > ν и τ > Т электрон успевает несколько раз переизлучить энергию, не передавая ее нейтральным молекулам. При частоте ω, близкой к ν, наблюдается явление резонанса и происходит наибольшее поглощение радиоволн. Для ионосферных слоев число столкновений ν = 103 ÷107 с-1.

При ν = 107 с-1 условие ω = ν выполняется для волны длиной около 200 м. Поэтому в диапазоне коротких волн происходит уменьшение поглощения с повышением частоты, а в диапазоне волн длиннее 200 м поглощение увеличивается с повышением частоты.

Если напряженность электрического поля волны, проходящей в ионизированном газе, велика, то возможно проявление нелинейных свойств ионизированного газа.

Величина ν связана со скоростью движения электрона u и средней длиной пути, пройденного электроном между двумя последовательными столкновениями, соотношением

ν = u/l. (4.28)

Полная скорость движения электрона складывается из скорости теплового движения uт и скорости, приобретаемой под действием электрического поля проходящей волны uЕ, причем обычно uт > uЕ:


где


Отсюда


Расчеты показывают [10], что в диапазоне длинных волн скорости движения электрона (тепловая и приобретаемая под действием поля проходящей волны) соизмеримы при E = 0,1÷2 мВ/м, на средних волнах - при E ≈ 2÷20 мВ/м. При больших значениях напряженности поля величина ν меняется пропорционально амплитуде поля волны. Следовательно, согласно (4.26), (4.27) поглощение изменяется в зависимости от величины напряженности поля волны - возникают нелинейные явления.

Нелинейные явления наблюдаются при передаче амплитудно-модулированных сигналов. Амплитуда напряженности электрического поля амплитудно-модулированного сигнала

E'm = (1 - McosΩt) Em. (4.33)

Подставляя в (4.32) выражение (4.33), получаем


откуда видно, что ν меняется с частотой модуляции. С этой же частотой меняется проводимость ионизированного газа и коэффициент поглощения. Поглощение напряженности поля оказывается пропорциональным величине напряженности поля. Происходит демодуляция.

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'