НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 4.8. Скорость распространения радиоволн в ионизированном газе

Диэлектрическая проницаемость ионизированного газа меньше единицы и зависит от частоты колебаний. Среды, в которых скорость распространения радиоволн зависит от частоты, называются диспергирующими. В диспергирующих средах различают фазовую и групповую скорости распространения радиоволн. Скорость, характеризующая быстроту перемещения фронта волны, называется фазовой. Фазовая скорость определяется формулой (1.45) или (для сред, приближающихся по своим свойствам к диэлектрику) (1.55). Поэтому для ионизированного газа без учета потерь согласно выражению (4.8)


Следовательно, каждой частоте соответствует своя фазовая скорость, и эта скорость больше скорости света.

Для того чтобы передать сигнал, необходимо создать некоторое возмущение - начало передачи синусоидальных колебаний, обрыв или импульс, т. е. передать некоторую группу волн (рис. 4.8).

Рис. 4.8. К определению групповой скорости распространения радиоволн
Рис. 4.8. К определению групповой скорости распространения радиоволн

В недиспергирующей среде группа волн передается неискаженной. В диспергирующей среде каждая из частот спектра импульса передается со своей скоростью, и импульс в целом передается с другой скоростью. Для определения групповой скорости игр распространения волны в диспергирующей среде следует воспользоваться формулой, известной из курса "Электродинамика" [1]:


После вычисления дифференциала знаменателя


уравнение (4.36) упрощается:


Из сопоставления формул (4.35) и (4.37) видна зависимость между фазовой и групповой скоростями распространения волны в ионизированном газе:

υгрυФ = с2. (4.38)

Таким образом, в ионизированном газе сигнал распространяется со скоростью, меньшей скорости света.

В случае приближения рабочей частоты к собственной частоте ионизированного газа (ω → ω0) групповая скорость уменьшается (υгр → 0), а фазовая скорость резко возрастает (υф → ∞). В действительности благодаря потерям энергии волны в реальном ионизированном газе фазовая скорость достигает большой конечной величины.

Для передачи импульса необходимо передать некоторую полосу частот, ширина которой обратно пропорциональна длительности импульса. Каждая из групп гармоник импульса распространяется со своей групповой скоростью. Если импульс не очень короткий и спектр его не широк, то разница в групповых скоростях отдельных групп гармоник импульса невелика и можно считать, что весь импульс распространяется со скоростью, соответствующей групповой скорости несущей частоты. Короткие импульсы содержат широкий спектр частот и при прохождении через ионосферу искажаются. Характер искажений прямоугольного импульса изображен на рис. 4.9 [9].

Рис. 4.9. Искажение прямоугольного импульса при прохождении радиоволн в ионизированном газе: 1 - первоначальная форма импульса; 2 - форма импульса после прохождения через ионосферу
Рис. 4.9. Искажение прямоугольного импульса при прохождении радиоволн в ионизированном газе: 1 - первоначальная форма импульса; 2 - форма импульса после прохождения через ионосферу

Группа высоких гармоник распространяется с большой групповой скоростью и создает импульс - предвестник (см. рис. 4.9, часть а-b). Основная часть энергии - "тело" импульса (см. рис. 4.9, часть b-с) распространяется со скоростью, соответствующей несущей частоте. Группа низких гармоник распространяется с меньшей групповой скоростью и создает запаздывающий импульс (см. рис. 4.9, часть с-d), Сам импульс оказывается "размытым". Искажения сказываются сильно в том случае, когда импульс короткий, а несущая частота близка к собственной частоте ионизированного газа. При распространении через ионосферу искажения за счет дисперсии претерпевают импульсы длительностью в несколько микросекунд. Телеграфные импульсы большой длительности практически не искажаются благодаря дисперсии.

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • 'Ростех' показал компьютеры на базе российских процессоров 'Эльбрус-8С'
  • 'Байкал Электроникс' выполнила очередной этап проекта по промышленному производству микропроцессоров
  • Представлен самый сложный на сегодняшний день микрочип, изготовленный из двумерного материала
  • Инженеры IBM уместили 30 млрд транзисторов на чип размером с ноготь
  • Samsung может обогнать Intel и стать производителем чипов №1
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'