НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

§ 4.11. Влияние постоянного магнитного поля на электрические параметры ионизированного газа. Явление гиромагнитного резонанса

Ионизированный газ ионосферы находится в постоянном магнитном поле, напряженность которого составляет 40 А/м.

Присутствие постоянного магнитного поля изменяет условия движения электронов, благодаря чему изменяются и электрические параметры ионизированного газа.

Рассмотрим прежде всего, как влияет магнитное поле на движение электрона в случае, когда электромагнитные колебания отсутствуют и электрон обладает только скоростью теплового движения. Пусть, как показано на рис. 4.14, постоянное магнитное поле H0 направлено в сторону отрицательных значений оси y.

Рис. 4.14. К пояснению явления гиромагнитного резонанса
Рис. 4.14. К пояснению явления гиромагнитного резонанса

Из всей совокупности электронов выберем электрон, скорость теплового движения которого совпадает с направлением оси х.

На движущийся в постоянном магнитном поле электрон действует сила Лоренца FH, определяемая с учетом отрицательного заряда электрона выражением

F‾н = - еμ0[u‾Н‾0]. (4.59)

Следовательно, в постоянном магнитном поле на электрон действует сила, нормальная к направлению его первоначального движения, и траектория движения электрона искривляется.

Радиус кривизны траектории ρ определяется из уравнения движения электрода


где в левой части записана центробежная сила, уравновешивающая силу FН.

Из уравнения видно, что электрон движется по окружности, радиус кривизны траектории которой


Направление вращения совпадает с движением часовой стрелки, если смотреть вдоль силовых линий магнитного поля.

Время обращения электрона по окружности


а частота вращения


Вращение электрона в постоянном магнитном поле называется гиромагнитным резонансом, а частота FН - частотой гиромагнитного резонанса.

Подставляя в формулу (4.63) числовые значения входящих в нее величин и значение H0 = 40 А/м получаем

fн = 1,4 МГц. (4.64)

Если рассмотреть движение иона в магнитном поле, то частота вращения иона окажется в тысячи раз меньше fн и выйдет из диапазона радиочастот.

Вращение зарядов в ионосфере существенно усложняет анализ процессов, происходящих при распространении радиоволн в такой среде.

Рассмотрим движение электрона в постоянном магнитном поле при прохождении электромагнитной волны. Для простоты будем считать, что ионы и нейтральные молекулы отсутствуют. Уравнение движения электрона в постоянном магнитном поле запишется следующим образом:

mэ · d2l‾э/dt2 = - eE‾ - eμ0 [d‾lэ/dt · H‾0]. (4.65)

Второе слагаемое в правой части этого уравнения представляет собой силу Лоренца. Направление движения электрона не совпадает с направлением напряженности электрического поля волны и зависит от взаимного направления векторов Е‾ и Н‾0. Следовательно, параметры среды зависят от направления распространения волны, т. е. среда становится анизотропной.

Для определения диэлектрической проницаемости ионизированного газа в присутствии постоянного магнитного поля обратимся к векторному выражению (3.4):

D‾ = ε0E‾ + p‾э = εaE‾,

где

p‾э = -eNэl‾э. (4.66)

Поскольку векторы Е‾ и l‾э не совпадают по направлению, не совпадают по направлению также векторы Е‾ и р‾э, а следовательно, векторы Е‾ и D‾. Таким образом, диэлектрическая проницаемость ионизированного газа в присутствии постоянного магнитного поля является не скалярным коэффициентом, а некоторым более сложным оператором, называемым тензором.

В общем случае, когда направление распространения волны составляет произвольный угол с направлением постоянного магнитного поля, анализ условий распространения волны громоздок и приводит к мало наглядным формулам. В то же время, как будет показано ниже, во всех практически важных случаях приближенно можно считать, что направление распространения волны либо совпадает с направлением поля, либо нормально к нему. Поэтому в дальнейшем рассмотрим распространение радиоволн в продольном и поперечном магнитных полях.

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'