1.8. Эквивалентная схема и характеристики двухвходового резонатора
Перейдем к рассмотрению двухвходового резонатора ПАВ, изображенного на рис. 1.19. Его эквивалентная схема показана на рис. 1.27. Она аналогична эквивалентной схеме ЛЗ ПАВ на рис. 1.10 с тем отличием, что внешние акустические входы преобразователей нагружены не на характеристическую проводимость акустической среды G0 = 1/z0, а на входные проводимости отражательных решеток Yр1 и Yр2, которые подключены к внешним акустическим входам преобразователей отрезками длинных линий с характеристической проводимостью G0 и длинами lp1 и lp2.
Поскольку, как отмечалось выше, в предположениях мэзоновской модели ВШП [39] короткозамкнутый преобразователь не вызывает отражений ПАВ и эквивалентен отрезку линии передачи длиной li, для определения собственных проводимостей резонатора Y11, Y22 получим эквивалентную схему, аналогичную эквивалентной схеме одновходового резонатора. При этом выражения для собственных проводимостей двухвходового резонатора будут иметь вид (1.40). Предполагая [как и при получении выражения для входной проводимости одновходового резонатора (1.41)], что полоса отражения решеток существенно уже полосы пропускания преобразователей и центральная частота отражения решеток ωс равна частоте акустоэлектрического синхронизма ВШП ωа, для одинаково расположенных относительно преобразователей отражающих решеток (ρ¯1 = ρ¯2 = ρ¯, lp1 = lp2 = lp) получим
где
Выражение для взаимной проводимости Y12 матрицы Y-параметров двухвходового резонатора может быть получено из анализа эквивалентной схемы на рис. 1.27 аналогично § 1.4, где исследовалась ЛЗ ПАВ, и при сделанных выше предположениях может быть записано в виде
где
- время задержки ПАВ при распространении между центрами преобразователей; li = Niλ - длина i-го преобразователя.
Проанализируем выражения (1.54) и (1.55). Рассмотрим для простоты симметричный двухвходовый резонатор (l1 = l2 = lп). Собственные проводимости резонатора будут равны:
Из (1.56) видно, что частотные зависимости собственных проводимостей двухвходового резонатора более сложны, чем соответствующие частотные зависимости одновходового резонатора. Это объясняется несимметрией образующегося при коротком замыкании одного из ВШП эквивалентного одновходового резонатора.
Зависимости активной и реактивной составляющих собственной проводимости Y11 для двухвходового резонатора (рис. 1.19) от частоты приведены на рис. 1.28.
Рис. 1.28. Зависимость активной (а) и реактивной (б) составляющих собственной проводимости симметричного двувходового резонатора ПАВ (материал подложки ST-срез кварца) от частоты; при N0 = 400, N = 22, lp = 3,75λ, l = 48,5λ, k2m = 0,0012: ---- ε = 0,001; - - - ε = 0,002
Рис. 1.28. Зависимость активной (а) и реактивной (б) составляющих собственной проводимости симметричного двувходового резонатора ПАВ (материал подложки ST-срез кварца) от частоты; при N0 = 400, N = 22, lp = 3,75λ, l = 48,5λ, k2m = 0,0012: ---- ε = 0,001; - - - ε = 0,002
Выражение для взаимной проводимости Y12 симметричного двухвходового резонатора примет вид:
Зависимость модуля и фазы взаимной проводимости двухвходового резонатора от частоты приводится на рис. 1.29.
Рис. 1.29. Зависимость модуля (а) и фазы (б) взаимной проводимости симметричного двувходового резонатора ПАВ (материал подложки ST-срез кварца) от частоты; при N0 = 400, N = 22, lр = 3,75λ, l = 48,5λ, k2m = 0,0012: ------ ε = 0,001; - - - ε = 0,002
Рис. 1.29. Зависимость модуля (а) и фазы (б) взаимной проводимости симметричного двувходового резонатора ПАВ (материал подложки ST-срез кварца) от частоты; при N0 = 400, N = 22, lр = 3,75λ, l = 48,5λ, k2m = 0,0012: ------ ε = 0,001; - - - ε = 0,002
Из (1.57) видно, что |Y12| принимает максимальное значение, если cos(ηp + ηп/2) = - 1, а cos 2(ηp + ηп - η/2) = 1. Последнее означает, что
где Lпол = 2lрэ + 2lп + l - длина резонансной полости резонатора ПАВ.
Как видно из (1.38), условие (1.59) соответствует условию резонанса в полости резонатора. Условие (1.58) соответствует расположению центра преобразователя в пучности стоячей поверхностной волны. Максимальное значение |Y12| при ωр = ωс равно
|Y12|макc = γGˆ 1+ρэ/1-ρ0. (1.60)
Соответственно, если cos (ηp + ηп/2) = 1, а cos 2(ηp + ηп + η/2) = -1, то получаем минимальное значение |Y12|, равное
|Y12|мин = γGˆ (1-ρ)2э/1+ρ20. (1.61)
Это значение |Y12| достигается при
т. е.
где λ - длина ПАВ на частоте ωс.
Определим крутизну фазовой характеристики
Из (1.62) при ω = ωмакс = ω и ω = ωмин = ωс получаем
Из (1.63) и (1.64) видно, что крутизна фазовой характеристики в точке, где |Y12| принимает значение |Y12|макс больше, чем в точке |Y12| = |Y12|мин.
По известным Y-параметрам двухвходового резонатора могут быть определены его коэффициенты передачи и входные сопротивления. Так, для схемы включения генератора и нагрузки на рис. 1.11 коэффициенты передачи по напряжению и току с первого входа резонатора ПАВ на его второй вход имеют вид (1.18), а выражение для коэффициента передачи по мощности имеет вид (1.19). Выражения для входных проводимостей резонатора ПАВ с нагруженным вторым входом имеют вид, также аналогичный (1.20).
Пример зависимости модуля и фазы K21U от частоты для симметричного резонатора ПАВ показан на рис. 1.30. Расчет проводился для случая Yн = gн = ωc СТ и ZГ = 0. Из рис. 1.30 видно, что если условие появления резонансов для собственной проводимости (1.44) не выполняется, то вид частотной зависимости коэффициента передачи по напряжению определяется зависимостью от частоты функции Y12(ω).
Рис. 1.30. Зависимость модуля (а) и фазы (б) коэффициента передачи по напряжению симметричного двухвходового резонатора ПАВ (материал подложки ST-срез кварца) для схемы на рис. 1.11 от частоты; при N0 = 400, N = 22, lp = 3,75λ, l = 48,5λ, k2m = 0,0012: ----- ε = 0,001; - - - ε = 0,002
В заключение отметим, что отмеченные выше недостатки эквивалентных схем ЛЗ ПАВ целиком присущи и приведенным эквивалентным схемам одновходного и двухвходного резонаторов ПАВ.