НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

5.7. Резонансный усилитель

Схема одноконтурного резонансного усилителя на транзисторе (с общим эмиттером) (рис. 5.17, а) отличается от рассмотренных в предыдущем параграфе только нагрузочной цепью. В данном случае нагрузкой является резистор Rш, шунтирующий параллельный колебательный контур. Как правило, потерями мощности в катушке индуктивности L и конденсаторе С можно пренебрегать по сравнению с мощностью, выделяемой в резисторе Rш. При этом условии полная проводимость нагрузки (между зажимами 1-2)


С помощью соотношений в которых ωр - резонансная частота, ρ - характеристическое сопротивление контура, выражение (5.54) приводится к виду


При достаточно большой добротности контура Q = Rш/ρ основное значение имеет величина передаточной функции усилителя вблизи резонансной частоты, т. е. при малых отклонениях частоты ω от частоты ωр. Можно поэтому наложить условие малой относительной расстройки:


Тогда, подставляя ω = ωр + Δω, получаем


и выражение (5.55) можно записать в форме


где


имеет смысл обобщенной расстройки контура.

Составим выражение для передаточной функции (по напряжению) резонансного усилителя. При схеме замещения, показанной на рис. 5.17, б, по аналогии с формулой (5.43) можем написать


Подставив в это выражение GH по формуле (5.58), выразим передаточную функцию через обобщенную расстройку а:


Заметим, что при резонансе (а = 0) коэффициент усиления


Поэтому (5.60') можно записать в несколько иной форме


Вводя новое обозначение обобщенной расстройки (с учетом влияния внутренней проводимости Gi)


приходим к окончательному выражению для передаточной функции усилителя


Слагаемое π в показателе степени учитывает знак минус в правой части (5.62).

Отношение модулей


можно рассматривать как нормированную амплитудно-частотную характеристику одноконтурного усилителя, а аргумент


- как фазочастотную характеристику (без учета не зависящего от частоты сдвига π).

Характеристики n(аэкв) и φ(аэкв) (рис. 5.18) ничем не отличаются от характеристик пассивного колебательного контура с той же добротностью.

Рис. 5.18. АЧХ и ФЧХ одноконтурного резонансного усилителя
Рис. 5.18. АЧХ и ФЧХ одноконтурного резонансного усилителя

Относительная полоса пропускания резонансного усилителя, определяемая по ослаблению амплитуды на границах полосы до от максимального уровня (при аэкв = 0) и выраженная через обобщенную расстройку аэкв, равна 2 (см. рис. 5.18). Для перехода от безразмерной относительной полосы пропускания 2 к размерной полосе 2 Δω0 положим в (5.63) Тогда полоса пропускания


где Qэкв, как это следует из (5.63), добротность нагруженного контура.

Во многих случаях на практике внутренняя проводимость усилительного прибора Gi мала по сравнению с проводимостью нагрузки Gш (соответственно Ri >> Rш). Для грубых расчетов формулы (5.61), (5.62) можно упростить:


В тех случаях, когда нагрузка усилителя учитывается сопротивлением rвн, вносимым внутрь контура, резистор Rш в предыдущих формулах должен быть заменен эквивалентным сопротивлением Zэp колебательного контура (параллельного) при резонансе:


При этом


предыдущая главасодержаниеследующая глава








© Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2018
При копировании обязательна установка активной ссылки:
http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'