НОВОСТИ    БИБЛИОТЕКА    ССЫЛКИ    О САЙТЕ




предыдущая главасодержаниеследующая глава

12. Устойчивость работы самонастраивающейся системы

Ранее было введено ограничение, согласно которому быстродействие работы системы во много раз превышает скорость ухода (дрейфа) экстремальной точки вследствие изменения во времени экстремальной характеристики η = f(q).

Поэтому при отсутствии в системе элементов, содержащих индуктивность и емкость, она всегда является устойчивой. Однако в том случае, когда в системе имеются инерционные элементы, устойчивость работы системы может быть нарушена и она не выйдет в область экстремума.

Рассмотрим этот вопрос на примере шаговой системы, в которой через равные промежутки времени (Δt) измеряется величина экстремального параметра (η) и при


осуществляется реверс системы.

Для упрощения будем считать, что при определении необходимости реверса сравниваются не средние (на участках Δt) значения η, а мгновенные величины, измеряемые через каждые Δt сек. Кроме того, примем, что искатель экстремума не имеет зоны нечувствительности.

Поэтому в отличие от рис. 6.18 (верхний график) в левой части рис. 6.33 разместим непрерывную кривую η = f(q). Предположим также, что в изучаемой системе нет выходной линейной части, т. е. что запаздывание на выходе системы отсутствует.

Рис. 6.33. Характеристика устойчивой и неустойчивой систем
Рис. 6.33. Характеристика устойчивой и неустойчивой систем

Рассмотрение начнем с начального момента (рис. 6.33), когда q = 0. В этот момент напряжение на входе (u1) системы (рис. 6.25) равно +k, и в соответствии с этим q начинает возрастать. В точках 1 и 2 неравенство ηi < ηi-1 отсутствует. Наконец, в точке 3 появилось неравенство ηi < ηi-1 и в системе происходит реверс напряжения u1. Поскольку в системе имеется входная линейная часть, вносящая запаздывание, то дальше возможны два случая работы системы.

а) Запаздывание на входе системы очень мало

В этом случае (рис. 6.33) после точки 3 параметр q еще несколько возрастает, а затем начинается его относительно быстрое уменьшение. В соответствии с уменьшением q экстремальный параметр растет. Поэтому в точке очередного замера (в точке 4) окажется, что ηi > ηi-1 и система будет продолжать двигаться к экстремальной точке. Следовательно, несмотря на наличие запаздывания, система осуществляет обычное рыскание в области экстремума.

б) Запаздывание на входе относительно велико

Если запаздывание велико, то может случиться, что после того как в точке 3 произошел реверс напряжения u1, параметр q из-за инерционности входной линейной части (рис. 6.25) будет еще продолжать возрастать.

Тогда в очередной момент проверки (в точке 4) окажется, что ηi < ηi-1, и в системе опять будет дан сигнал на реверс, но на этот раз - в неправильную сторону, ибо после этого реверса система будет стремиться увеличивать q, в то время как этот параметр должен уменьшаться. Поэтому система, совершая колебательные движения, начнет уходить из области экстремума (прерывистая кривая на рис. 6.33) и устойчивость работы системы будет нарушена.

В том случае, когда запаздывание имеется как на входе, так и на выходе системы, ее устойчивость лучше рассматривать на основе изучения поведения кривой u2 = φ(q).

В устойчивой системе (рис. 6.34) после реверса (точка 3) q еще несколько возрастает, но затем начинает уменьшаться (точка 4а). В неустойчивой системе (прерывистая кривая) q после точки 3 продолжает возрастать, совершая при этом колебательные движения.

Рис. 6.34. Динамические характеристики системы
Рис. 6.34. Динамические характеристики системы

Таким образом, исследуя характеристику u2 = φ(q), можно определить устойчивость самонастраивающейся системы и проследить за динамикой ее выхода в область экстремума.

предыдущая главасодержаниеследующая глава


ИНТЕРЕСНО:
  • Intel - уже не крупнейший производитель полупроводников
  • 'Ростех' показал компьютеры на базе российских процессоров 'Эльбрус-8С'
  • 'Байкал Электроникс' выполнила очередной этап проекта по промышленному производству микропроцессоров
  • Представлен самый сложный на сегодняшний день микрочип, изготовленный из двумерного материала
  • Инженеры IBM уместили 30 млрд транзисторов на чип размером с ноготь
  • Samsung может обогнать Intel и стать производителем чипов №1
  • Отечественный персональный компьютер 'Эльбрус-401 РС' пошёл в серийное производство
  • Появился первый официально признанный «полностью российский чип»
  • 'Ангстрем' представил полностью отечественную линейку изделий силовой электроники
  • Samsung первой в мире запустила производство 10-нанометровых чипов
  • На базе российского процессора КОМДИВ-64 создан защищенный компьютер для военных
  • Названа цена разработки российских процессоров «Эльбрус»
  • В России разработан микроконтроллер «электронного мозга» для транспорта и робототехники
  • «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
  • Микрон вошёл в ОЭЗ с проектами производства чипов 65-45-28 нм и собственной территорией
  • Основной российский производитель электролитических конденсаторов получил 280 млн на новый импортозамещающий проект
  • В Томске разработана технология синтеза вещества для производства прозрачной электроники
  • У нас тут своя архитектура
  • Роберт Бауэр - создатель SAGFET-транзисторов
  • В России выпустили 6-ядерный 40-нм процессор
  • После 4 лет простоя Егоршинский радиозавод модернизирует производство
  • Завод радиоэлектроники открыт 'Микраном' в Томске
  • Джек Сент Клер Килби - изобретатель интегральных схем






  • © Сенченко Антонина Николаевна, Злыгостев Алексей Сергеевич, 2010-2017
    При копировании обязательна установка активной ссылки:
    http://rateli.ru/ 'rateli.ru: Радиотехника'