30.01.2019 (Отечественные производители микроэлектроники/Ангстрем, Разработка транзисторов) Завод 'Ангстрем-Т' освоил технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET
|
17.12.2018 (Зарубежные производители микроэлектроники, Разработка транзисторов) Созданы новые 'трехмерные' транзисторы, размеры которых в три раза меньше размеров самых маленьких из существующих транзисторов
|
13.12.2018 (Зарубежные производители микроэлектроники, Разработка транзисторов) Сделан 3D-транзистор размером 3 нм
|
31.10.2018 (Отечественные производители микроэлектроники/Ангстрем, Разработка транзисторов) 'Ангстрем' заключил международное соглашение по производству новых типов транзисторов
|
24.09.2018 (Разработка транзисторов) Проектные нормы в микроэлектронике: где на самом деле 7 нанометров в технологии 7 нм?
|
20.06.2018 (Разработка транзисторов) Ученые НИТУ «МИСиС» выяснили, как контролировать 'возбуждение' электроники
|
27.12.2017 (Разработка транзисторов) В России начато производство GaN-транзисторов для сетей связи 5G
|
01.07.2016 (Отечественные производители микроэлектроники/Ангстрем, Разработка транзисторов) «Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
|
11.09.2015 (Разработка транзисторов) Физики создали сверхскоростной оптический транзистор, состоящий из одной кремниевой наночастицы
|
12.08.2015 (Разработка транзисторов) Создан транзистор из одной молекулы
|
23.06.2015 (Разработка транзисторов) Транзисторы OptiMOS™ 300 В Infineon Technologies
|
08.04.2015 (Зарубежные производители микроэлектроники, Разработка транзисторов) GlobalFoundries начала производство 14-нм микросхем для клиентов
|
17.01.2015 (Разработка транзисторов) Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура
|
03.12.2014 (Зарубежные производители микроэлектроники, Разработка транзисторов) Freescale представила мощный радиочастотный транзистор с рекордно широкой полосой пропускания
|
29.11.2014 (Разработка транзисторов) Никелатовый синапс-транзистор создан в Гарварде
|
12.11.2014 (Разработка транзисторов) Новое семейство силовых P-канальных МОП-транзисторов
|
12.09.2014 (Разработка транзисторов) Новая физика, новые материалы
|
05.09.2014 (Разработка транзисторов) Перспективная электроника на дисульфиде молибдена
|
04.08.2014 (Исследования, Разработка транзисторов) Создан самый быстрый в мире транзистор на основе кремния и германия
|
17.02.2014 (Зарубежные производители микроэлектроники, Разработка транзисторов) Создан самый быстрый в мире транзистор на основе кремния и германия
|
25.12.2012 (Зарубежные производители микроэлектроники, Разработка транзисторов) Китай осваивает передовые технологии производства микросхем
|
28.03.2012 (Исследования, Разработка транзисторов) Учёные испытали стерилизуемый органический транзистор
|
20.02.2012 (Исследования, Разработка транзисторов) Физики построили одноатомный транзистор
|
28.10.2011 (Исследования, Разработка транзисторов) Учёные создали транзисторы из хлопка
|
23.09.2011 (Разработка транзисторов) Американцы создали биопротонный транзистор
|
10.05.2011 (Разработка транзисторов) Intel запускает в серию трёхмерный транзистор
|
12.04.2011 (Исследования, Разработка транзисторов) Испытан скоростной графеновый транзистор
|
04.04.2011 (Исследования, Разработка транзисторов) Физики открыли самоохлаждение графеновых транзисторов
|
22.03.2011 (Разработка транзисторов) Созданы эффективные кремниевые нанотранзисторы
|
08.07.2010 (Исследования, Разработка транзисторов) Напечатаны самые быстрые транзисторы на нанотрубках
|
25.05.2010 (Исследования, Разработка транзисторов) Создан транзистор из семи атомов
|
02.03.2010 (Исследования, Разработка транзисторов) Беспереходный транзистор ведёт микросхемы к новым масштабам
|
21.09.2009 (Исследования, Разработка транзисторов) Чипы-гибриды парадоксально уплотняют схемы без уплотнения
|
10.09.2009 (Исследования, Разработка транзисторов) Создан первый бионанотранзистор
|
14.05.2008 (Разработка транзисторов) Создан новый тип транзисторов на основе нитрида галлия
|
24.04.2008 (Разработка транзисторов) Создан самый маленький в мире транзистор
|
09.06.2005 (Разработка транзисторов) Создан транзистор из одной молекулы
|
